電子化學(xué)品作為電子材料與精細(xì)化工相結(jié)合的高新技術(shù)產(chǎn)品，具有高級(jí)、精密、尖端等特點(diǎn)。隨著時(shí)代發(fā)展和科技進(jìn)步，電子化學(xué)品應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，呈現(xiàn)出巨大的市場(chǎng)潛力和廣闊的發(fā)展前景。
半導(dǎo)體從硅單晶生產(chǎn)，到切片、摻雜、濺射、拋光、極紫外曝光、清洗、封裝，以及運(yùn)行時(shí)的熱控等制造全過(guò)程，幾乎都涉及電子化學(xué)品。
就品類而言，半導(dǎo)體涉及的化學(xué)品主要有5大類：光刻膠、電子氣體、濕化學(xué)品、拋光液/拋光墊和金屬靶材，絕大部分市場(chǎng)份額為美日企業(yè)所壟斷。國(guó)內(nèi)新材料企業(yè)結(jié)合各自優(yōu)勢(shì)以重點(diǎn)單品為主攻，行業(yè)內(nèi)錯(cuò)位競(jìng)爭(zhēng)，呈現(xiàn)出百花齊放的局面。
光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是微電子領(lǐng)域微細(xì)圖形加工核心上游材料，電子化學(xué)品的高端材料之一。光刻膠品種多樣分為紫外全譜（300~450nm、g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）、電子束，在半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用很廣。
光刻膠存在極高的技術(shù)壁壘和市場(chǎng)壁壘，國(guó)產(chǎn)化率極低。半導(dǎo)體領(lǐng)域整體國(guó)產(chǎn)化率約為10%，其中，g線、i線、KrF光刻膠約10%，ArF光刻膠全部進(jìn)口。平板顯示領(lǐng)域整體國(guó)產(chǎn)化率約10%，其中，觸摸屏光刻膠約35%，彩色和黑色光刻膠、TFT光刻膠幾乎全部進(jìn)口。
目前低端PCB光刻膠國(guó)產(chǎn)替代最快，高端半導(dǎo)體光刻膠處于方興未艾的階段，上海新陽(yáng)KrF厚膜、ArF干法光刻膠研發(fā)到達(dá)中試階段，晶瑞股份完成KrF（248nm深紫外）光刻膠中試，南大光電研制的ArF(193nm)光刻膠樣品處于客戶測(cè)試階段。
電子氣體作為集成電路、平面顯示器件、化合物半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池、光纖等電子工業(yè)生產(chǎn)中不可缺少的基礎(chǔ)和支撐性材料之一，被廣泛應(yīng)用于薄膜、蝕刻、摻雜、氣相沉積、擴(kuò)散等工藝。隨著集成電路制造技術(shù)的快速發(fā)展，芯片尺寸不斷增大，工藝不斷提高，特征尺寸線寬不斷減小，要求IC制程用的各種電子氣體純度、特定技術(shù)指標(biāo)不斷提高，對(duì)關(guān)鍵雜質(zhì)的要求更為苛刻。
電子氣體以純度為核心指標(biāo)，國(guó)內(nèi)企業(yè)普遍做到5-6N，林德和法液空等海外領(lǐng)先企業(yè)技術(shù)可達(dá)6-9N。國(guó)內(nèi)以華特氣體、金宏氣體和七一八所（非上市）為首，華特已具備清洗氣、刻蝕氣和摻雜氣等技術(shù)，目前仍在繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能。
濕電子化學(xué)品，又稱超凈高純?cè)噭蟪瑑艉透呒?，為濕法工藝（包括濕法刻蝕、清洗）制程中使用的各種液體化工材料，主要應(yīng)用在半導(dǎo)體、平板顯示、太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域等微電子、光電子器件制造領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品存在較高的技術(shù)壁壘和市場(chǎng)壁壘。國(guó)際上G1到G4級(jí)濕電子化學(xué)品的技術(shù)已趨于成熟，國(guó)內(nèi)企業(yè)大都能夠達(dá)到G2級(jí)，少數(shù)企業(yè)達(dá)到G3和G4級(jí)。
國(guó)內(nèi)企業(yè)中，晶瑞股份超高純凈雙氧水和超純氨水已達(dá)G5標(biāo)準(zhǔn)，其他產(chǎn)品均達(dá)到G3或G4標(biāo)準(zhǔn)，上海新陽(yáng)市的超純電鍍液及添加劑實(shí)現(xiàn)在90-28nm制程上的應(yīng)用，江微化IPO項(xiàng)目落地后將具備G4/G5級(jí)產(chǎn)品生產(chǎn)能力。
2019年我國(guó)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模約達(dá)94.17億元，同比增長(zhǎng)7.15%；2020年我國(guó)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到100.62億元左右，同比增長(zhǎng)6.85%。
CMP拋光材料是應(yīng)用于CMP工藝中的拋光材料，而CMP工藝是在半導(dǎo)體工業(yè)中使器件在各階段實(shí)現(xiàn)全局平坦化的關(guān)鍵步驟。其原理是在一定壓力和拋光液環(huán)境下，被拋光工件相對(duì)于拋光墊做相對(duì)運(yùn)動(dòng)，通過(guò)拋光液中固體粒子的研磨作用和氧化劑的腐蝕作用，使工件形成平坦光潔的表面。
CMP拋光材料市場(chǎng)占半導(dǎo)體材料7%。CMP是實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝，核心材料主要為拋光液和拋光墊。全球拋光液和拋光墊市場(chǎng)被美、日企業(yè)壟斷，國(guó)內(nèi)拋光墊主要廠商為鼎龍股份，拋光液龍頭安集科技國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占比22%。
半導(dǎo)體靶材的核心技術(shù)主要包括：(1)金屬提純技術(shù),純度要求做到99.999%(2)金屬微觀結(jié)構(gòu)控制技術(shù)(3)異種金屬高端焊機(jī)技術(shù)(4)精密加工、清洗和加工技術(shù)。中國(guó)生產(chǎn)半導(dǎo)體用的濺射靶材之前一直依賴進(jìn)口，JX/Nikko、Praxair、Honeywell、Tosoh等，四家公司市場(chǎng)占有率超過(guò)80%。江豐電子在半導(dǎo)體靶材領(lǐng)域的突破以及全球市占率的快速提升，標(biāo)志著大陸半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的重大突破，我們判斷半導(dǎo)體核心材料領(lǐng)域?qū)⒉粩嘤楷F(xiàn)出大陸企業(yè)的身影，未來(lái)2-3年將出現(xiàn)更多的半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的投資機(jī)會(huì)。
